ناموجود
ناموجود
Product Category: MOSFET
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: – 55 V
Id – Continuous Drain Current: – 74 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 20 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Qg – Gate Charge: 120 nC
Fall Time: 96 ns
Height: 9.02 mm
Length: 10.67 mm
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Pd – Power Dissipation: 200 W
Rise Time: 99 ns
Factory Pack Quantity: 50
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 61 ns
Typical Turn-On Delay Time: 18 ns
ناموجود
در زیر میتوانید پاسخ سوالات خود را بیابید. در غیر این صورت از ما بپرسید، ما همیشه به سوالات شما پاسخ خواهیم داد. (جهت ویرایش این قسمت به پیکربندی پوسته > تب متفرقه > سوالات متداول مراجعه نمایید.)
هنوز بررسیای ثبت نشده است.